אין דער האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע וואַרשטאַט, די רעקווירעמענץ פון דעם טשיפּ פאַבריקאַציע פּראָצעס פֿאַר סביבה באדינגונגען און ויסריכט אַקיעראַסי זענען עקסטרעם, און יעדע קליינע אָפּנייגונג קען פירן צו אַ באַטייטיק אַראָפּגאַנג אין די טשיפּ פּראָדוקציע. די XYZT פּרעציזיע גאַנטרי באַוועגונג פּלאַטפאָרמע רילייז אויף גראַניט קאַמפּאָונאַנץ צו קאָלאַבאָרירן מיט אנדערע טיילן פון דער פּלאַטפאָרמע צו בויען אַ שטאַרק יסוד פֿאַר דערגרייכן נאַנאָסקאַלע אַקיעראַסי.
אויסגעצייכנטע ווייבריישאַן בלאַקינג פּראָפּערטיעס
אין דער האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע וואַרשטאַט, קען די אָפּעראַציע פון פּעריפערישע עקוויפּמענט און פּערסאָנעל וואָס גייען אַרום פאַראורזאַכן ווייבריישאַן. די אינעווייניקסטע סטרוקטור פון גראַניט קאָמפּאָנענטן איז געדיכט און איינהייטלעך, מיט נאַטירלעכע הויך דאַמפּינג קעראַקטעריסטיקס, ווי אַן עפעקטיוו ווייבריישאַן "באַריער". ווען די פונדרויסנדיקע ווייבריישאַן ווערט טראַנסמיטטעד צו דער XYZT פּלאַטפאָרמע, קען דער גראַניט קאָמפּאָנענט עפעקטיוו פֿאַרמינדערן מער ווי 80% פון דער ווייבריישאַן ענערגיע און רעדוצירן די ינטערפיראַנס פון ווייבריישאַן אויף דער פּלאַטפאָרמע באַוועגונג אַקיעראַסי. אין דער זעלביקער צייט, איז די פּלאַטפאָרמע אויסגעשטאַט מיט אַ הויך-פּינקטלעכקייט לופט פלאָוט גייד סיסטעם, וואָס אַרבעט צוזאַמען מיט גראַניט קאָמפּאָנענטן. דער לופט פלאָוט גייד ניצט דעם סטאַבילן גאַז פילם געשאפן דורך הויך דרוק גאַז צו פאַרשטיין די קאָנטאַקטלאָז סאַספּענשאַן באַוועגונג פון די באַוועגלעכע טיילן פון דער פּלאַטפאָרמע און רעדוצירן די קליינע ווייבריישאַן געפֿירט דורך מעטשאַניקאַל רייַבונג. צוזאַמען, די צוויי ענשור אַז די פּלאַטפאָרמע פּאַזישאַנינג אַקיעראַסי איז שטענדיק מיינטיינד אויף די נאַנאָמעטער מדרגה אין שליסל פּראַסעסאַז אַזאַ ווי טשיפּ ליטאָגראַפֿיע און עטשינג, און ויסמיידן די דיווייישאַן פון טשיפּ קרייַז פּאַטערנז געפֿירט דורך ווייבריישאַן.
אויסגעצייכנטע טערמישע פעסטקייט
די פלוקטואַציע פון טעמפּעראַטור און הומידיטי אין דער וואַרשטאַט האט אַ גרויסן איינפלוס אויף דער אַקיעראַסי פון טשיפּ פאַבריקאַציע עקוויפּמענט. דער טערמישער יקספּאַנשאַן קאָעפיציענט פון גראַניט איז זייער נידעריק, בכלל אין 5-7 ×10⁻⁶/℃, די גרייס איז כּמעט נישט געביטן ווען די טעמפּעראַטור ענדערט זיך. אפילו אויב דער טעמפּעראַטור חילוק צווישן טאָג און נאַכט אין דער וואַרשטאַט אָדער די היץ פּראָדוקציע פון דער עקוויפּמענט פאַרשאַפן די אַמביאַנט טעמפּעראַטור צו פלוקטוירן, די גראַניט קאָמפּאָנענטן קענען בלייבן סטאַביל צו פאַרמייַדן די דעפאָרמאַציע פון דער פּלאַטפאָרמע רעכט צו טערמישער יקספּאַנשאַן און קאָנטראַקשאַן. אין דער זעלביקער צייט, די ינטעליגענט טעמפּעראַטור קאָנטראָל סיסטעם יקוויפּט מיט דער פּלאַטפאָרמע מאָניטאָרס די אַמביאַנט טעמפּעראַטור אין פאַקטיש צייט, אויטאָמאַטיש אַדזשאַסטיז די לופטקילונג און היץ דיסיפּיישאַן עקוויפּמענט, און האַלט די וואַרשטאַט טעמפּעראַטור ביי 20 °C ±1 °C. קאַמביינד מיט די אַדוואַנידזשיז פון גראַניט היץ פעסטקייַט, ענשור אַז די פּלאַטפאָרמע אין לאַנג-טערמין אָפּעראַציע, די באַוועגונג אַקיעראַסי פון יעדער אַקס שטענדיק טרעפן די טשיפּ פאַבריקאַציע נאַנאָמעטער פּרעציזיע סטאַנדאַרדס, צו ענשור אַז די טשיפּ ליטאָגראַפֿיע מוסטער גרייס איז פּינטלעך, עטשינג טיפקייַט איז מונדיר.
טרעפן די באדערפענישן פון א ריינע סביבה
די האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע וואַרשטאַט דאַרף האַלטן אַ הויך גראַד פון ריינקייט צו פאַרמייַדן שטויב פּאַרטיקאַלז פון קאַנטאַמאַנייטינג די טשיפּ. גראַניט מאַטעריאַל זיך פּראָדוצירט נישט קיין שטויב, און די ייבערפלאַך איז גלאַט, נישט גרינג צו אַבזאָרבירן שטויב. די פּלאַטפאָרמע אין גאַנצן נעמט אַ גאָר פארמאכט אָדער האַלב-פארמאכט סטרוקטור פּלאַן צו רעדוצירן די אַרייַנטרעטן פון פונדרויסנדיק שטויב. די ינערלעך לופט צירקולאַציע סיסטעם איז פארבונדן מיט די ריין לופט קאַנדישאַנינג סיסטעם פון די וואַרשטאַט צו ענשור אַז די ינערלעך לופט ריינקייט דערגרייכט די מדרגה פארלאנגט דורך טשיפּ פאַבריקאַציע. אין דעם ריין סוויווע, גראַניט קאַמפּאָונאַנץ וועט נישט אַפעקט די פאָרשטעלונג רעכט צו שטויב עראָוזיע, און שליסל קאַמפּאָונאַנץ אַזאַ ווי הויך-פּינקטלעכקייט סענסאָרס און מאָטאָרן פון די פּלאַטפאָרמע קענען אויך אַרבעטן סטאַביל, פּראַוויידינג קאַנטיניואַס און פאַרלאָזלעך נאַנאָסקאַלע פּינקטלעכקייט גאַראַנטירן פֿאַר טשיפּ פאַבריקאַציע, און העלפּינג די האַלב-קאָנדוקטאָר אינדוסטריע צו גיין צו אַ העכער פּראָצעס מדרגה.
פּאָסט צייט: 14טן אַפּריל 2025